iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的带领者，今天公布推出其 SuperQ™ MOSFET 技能，专门设计用来解决高压（72V 和更高）电池治理体系（BMS）中要害的安全与效率衡量问题。此新平台为 BMS 放电开关的最主要安全指标——短路耐受能力（SCWC）——设定了业界基准。
电动挪动、无人机与专业电开工具中高压电池组的普和带来了高危害挑战：于外部短路事务中避免灾害性妨碍，此时电流可能激增至数千安培。放电 MOSFET 是独一卖力于这些极度前提下断绝电池组的元件。
“于高能量电池组中，耐受性是不成让步的。传统 MOSFET 设计被迫于告竣超低 RDS(on) 以提高效率，以和蒙受巨量短路电流所需的布局完备性之间让步，”iDEAL Semiconductor 设计副总裁 Phil Rutter 博士暗示。“SuperQ™ 平台消弭了这类让步。咱们的专利细胞布局提供了市场最低的导通电阻，同时具有无可对抗的安全裕度，让设计师有决定信念建构更小、更靠得住且成本更低的电池体系。”1.4 倍优秀的短路耐受电流
iDEAL Semiconductor 的内部测试证实了 SuperQ 的显著机能上风。对于 iS15M2R5S1T（150V、2.5mΩ、TOLL 封装）与领先竞争敌手的直接比力显示：
SuperQ 元件揭示出比其最靠近竞争敌手高 1.4 倍的短路妨碍能力。此冲破性机能透过专利细胞布局实现，该布局具备更宽的导电区域，于极度压力下最年夜化功率密度与布局完备性。
更低的体系成本与更高的靠得住性
对于在电池组设计师而言，此优秀的 SCWC 直接转化为体系级上风：
元件削减：因为每一个 SuperQ 元件可处置惩罚显著更高的短路电流，设计师可以使用高达 50% 更少的并联 MOSFET 以满意不异的安全要求。成本节省：削减元件数目与繁杂度致使物料清单（BOM）总成本年夜幅降低，并简化电路板结构。效率：维持 2.5mΩ 的超低 RDS(on) 最小化导通损耗，延伸电池运行时间并削减热治理需求。SuperQ 产物组合现已经上市，提供高达 200V 的元件，为从 72V 到跨越 144V 的电池平台提供解决方案。
有关更多细节以和电池治理体系中其运用的白皮书，请拜候https://idealsemi.com/battery-management/.
关在 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是下一代硅功率元件的业界领先开发商。该公司建立的任务是将硅推向凌驾其认知极限。其专利的 SuperQ 技能利用传统 CMOS 制程提供冲破性的能源效率——而不偏离硅的已经证明上风。
此平台技能合用在广泛的产物、运用与半导体质料，专门设计用来减轻每一个运用的功率损耗，并为下一代提供更环保的能源利用。iDEAL 总部位在宾州利海谷，如需更多信息，请拜候 www.idealsemi.com
-350vip浦京