日本半导体系体例造商 Rapidus 近日公布，规划在 2027 财年于北海道设置装备摆设第二座晶圆厂，估计最快 2029 年最先出产进步前辈的 1.4 纳米芯片。此举旨于缩小与全世界芯片制造巨头台积电的差距，重修日本于进步前辈半导体范畴的战略自立能力。
据日经亚洲报导，Rapidus 第二座晶圆厂总投资估计将跨越 2 万亿日元。日本当局将提供数千亿日元直接投资与补助，残剩资金经由过程年夜型银行贷款和平易近营企业投资补足，贷款部门由当局提供担保。日本经济财产省（METI）已经于 2025 年度拨付 8025 亿日元补贴金，用在推进 2 纳米进步前辈制程的研发与试出产。若所有赞助资金全数落实，Rapidus 累计得到的当局与平易近间撑持将靠近 3 万亿日元，成为日本重返进步前辈半导体竞争行列的国度级项目之一。
Rapidus 首坐晶圆厂位在北海道千岁市，已经在 2025 年 4 月启动 2 纳米芯片试制，规划 2027 年下半年正式量产，产物重要面向主动驾驶、人工智能等高端运用范畴。第二座晶圆厂的设置装备摆设将加快 1.4 纳米和 1 纳米芯片的研发与量产进程。
Rapidus 自 2022 年景立以来，已经与 IBM、Tenstorrent 等国际企业开展互助，并得到丰田、索尼等日本企业巨头的撑持。2025 年 7 月，Rapidus 于千岁厂的 IIM-1 工场启动 2 纳米全环抱栅极（GAA，Gate-All-Around）芯片试出产，并在 7 月中旬向媒体公然试成品，展示技能进展。
值患上存眷的是，富士通已经公布与英伟达（NVIDIA）互助开发日本数据中央专用人工智能芯片，并规划将 1.4 纳米级中心处置惩罚器（CPU）的制造委托给 Rapidus，估计 2029 年实实际用化。尚有动静称，富士通将出资介入 Rapidus，强化日本本土半导体供给链。
只管 Rapidus 的成长进度掉队在台积电及三星电子，但该企业方针于 2029 年实现 1.4 纳米芯片量产，力争于全世界半导体市场盘踞一席之地。台积电估计 2025 年第四序器量产 2 纳米芯片，2028 年量产 1.4 纳米芯片；英特尔（Intel）则已经启动 18A 制程（约相称在 1.8 纳米）的量产事情。
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